杭州某半导体材料鑫霖环保芯片制造出厂，晶圆制造的时候中产生含硅、氟的专项 电镀废液，来设计除理建设规模1200吨/日。电镀废液有效成分错综复杂，有nm级硅颗粒物及氢佛酸，傳統除理步骤仍未不合格。 废污水物质及源头 最主要环境破坏物 ：固体硅（100-500nm孔径）、氟阳离子（200-300mg/L）、异丙醇 源加工过程 ：晶圆刻蚀工业废水处理工艺（45%）、CMP耐腐蚀自动化抛光处理工业废水处理工艺（40%）、装备清扫冲洗水（15%） 外理工艺设备程序流程 企业创新所采用"普通机械乳浊液+持种膜转移"工艺路径： 钙盐悠长岁月中 ：加药系统氯化钙祛除氟阴离子（生产CaF2乳浊液） 斜管沉淀池发生反应 ：挽回斜管沉淀池剂体现氢氧化铁硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm口径膜挪作他用微细颗粒肥料 反融于系統 ：脱盐率>98%，收购率75% 挥发晶粒 ：浓水段保证 氟化物零排污 结果英文体验 氟化物密度：<8mg/L（高于部委两级细则10mg/L） 硅含氧量：<5mg/L 水信息循环率：70%中用急冷塔补水保湿 垃圾回收利用：汽化残留物量较传统意义方法增多60%